Ключови компоненти на системата за съхранение на енергия -IGBT

Цената на системата за съхранение на енергия се състои главно от батерии и инвертори за съхранение на енергия.Общо двете съставляват 80% от цената на електрохимичната система за съхранение на енергия, от която инверторът за съхранение на енергия представлява 20%.Биполярният кристал на изолационната решетка на IGBT е суровината нагоре по веригата на инвертора за съхранение на енергия.Производителността на IGBT определя производителността на инвертора за съхранение на енергия, като представлява 20%-30% от стойността на инвертора.

Основната роля на IGBT в областта на съхранението на енергия е трансформатор, честотно преобразуване, интерволюционно преобразуване и т.н., което е незаменимо устройство в приложенията за съхранение на енергия.

Фигура: IGBT модул

Суровините нагоре по веригата на променливите за съхранение на енергия включват IGBT, капацитет, съпротивление, електрическо съпротивление, PCB и т.н. Сред тях IGBT все още зависи главно от вноса.Все още има разлика между местните IGBT на технологично ниво и водещото в света ниво.Въпреки това, с бързото развитие на китайската индустрия за съхранение на енергия, процесът на домашно приспособяване на IGBT също се очаква да се ускори.

Стойност на приложението за съхранение на енергия на IGBT

В сравнение с фотоволтаиците, стойността на IGBT за съхранение на енергия е сравнително висока.Съхранението на енергия използва повече IGBT и SIC, включващи две връзки: DCDC и DCAC, включително две решения, а именно интегрирана оптична памет и отделна система за съхранение на енергия.Независимата система за съхранение на енергия, количеството силови полупроводникови устройства е около 1,5 пъти повече от фотоволтаичните.В момента оптичното съхранение може да представлява повече от 60-70%, а отделната система за съхранение на енергия представлява 30%.

Фигура: BYD IGBT модул

IGBT има широка гама от приложни слоеве, което е по-изгодно от MOSFET в инвертора за съхранение на енергия.В действителните проекти IGBT постепенно замени MOSFET като основно устройство на фотоволтаични инвертори и генериране на вятърна енергия.Бързото развитие на новата индустрия за производство на енергия ще се превърне в нова движеща сила за IGBT индустрията.

IGBT е основното устройство за преобразуване и предаване на енергия

IGBT може напълно да се разбира като транзистор, който управлява електронния двупосочен (многопосочен) поток с управление на клапана.

IGBT е съставно мощно полупроводниково устройство с пълен контрол на напрежението, съставено от биполярен триод BJT и изолираща решетъчна тръба с ефект на полето.Предимствата на два аспекта на спад на налягането.

Фигура: Схематична схема на структурата на IGBT модул

Функцията на превключвателя на IGBT е да образува канал чрез добавяне на положително към напрежението на портата, за да осигури базовия ток към PNP транзистора за задвижване на IGBT.Обратно, добавете обратното напрежение на вратата, за да елиминирате канала, да преминете през обратния базов ток и да изключите IGBT.Методът на управление на IGBT е основно същият като този на MOSFET.Той трябва само да контролира входния полюс N едноканален MOSFET, така че има високи характеристики на входния импеданс.

IGBT е основното устройство за преобразуване и предаване на енергия.Той е известен като „CPU“ на електрически електронни устройства.Като национална стратегическа нововъзникваща индустрия, тя се използва широко в ново енергийно оборудване и други области.

IGBT има много предимства, включително висок входен импеданс, ниска управляваща мощност, проста управляваща верига, бърза скорост на превключване, голям ток в състояние, намалено налягане на отклоняване и малка загуба.Следователно той има абсолютни предимства в настоящата пазарна среда.

Следователно IGBT се превърна в най-масовия на текущия пазар на силови полупроводници.Той се използва широко в много области като производство на нова енергия, електрически превозни средства и зарядни колони, електрифицирани кораби, постояннотоково предаване, съхранение на енергия, промишлено електрическо управление и пестене на енергия.

Фигура:InfineonIGBT модул

Класификация на IGBT

Според различната структура на продукта, IGBT има три вида: еднотръбен, IGBT модул и интелигентен захранващ модул IPM.

(Плотове за зареждане) и други области (предимно такива модулни продукти, продавани на текущия пазар).Интелигентният захранващ модул IPM се използва широко в областта на бялата техника като инверторни климатици и перални машини с честотно преобразуване.

В зависимост от напрежението на сценария на приложение, IGBT има типове като свръхниско напрежение, ниско напрежение, средно напрежение и високо напрежение.

Сред тях IGBT, използван от нови енергийни превозни средства, промишлен контрол и домакински уреди, е предимно със средно напрежение, докато железопътният транзит, новото производство на енергия и интелигентните мрежи имат по-високи изисквания за напрежение, използвайки главно IGBT с високо напрежение.

IGBT се появява най-вече под формата на модули.Данните от IHS показват, че съотношението на модулите и единичната тръба е 3: 1. Модулът е модулен полупроводников продукт, направен от IGBT чип и FWD (продължаващ диоден чип) чрез персонализиран мост на веригата и чрез пластмасови рамки, субстрати и субстрати и т.н.

Mситуация на пазара:

Китайските компании се развиват бързо и в момента са зависими от вноса

През 2022 г. индустрията на IGBT в моята страна имаше продукция от 41 милиона, с търсене от около 156 милиона и ниво на самодостатъчност от 26,3%.Понастоящем вътрешният пазар на IGBT е зает главно от задгранични производители като Yingfei Ling, Mitsubishi Motor и Fuji Electric, от които най-висок дял е Yingfei Ling, който е 15,9%.

Пазарът на IGBT модул CR3 достигна 56,91%, а общият дял на местните производители Star Director и ерата на CRRC от 5,01% беше 5,01%.Пазарният дял на трите най-големи производители на глобалното IGBT сплит устройство достигна 53,24%.Местните производители влязоха в първите десет пазарни дяла на глобалното IGBT устройство с пазарен дял от 3,5%.

IGBT се появява най-вече под формата на модули.Данните от IHS показват, че съотношението на модулите и единичната тръба е 3: 1. Модулът е модулен полупроводников продукт, направен от IGBT чип и FWD (продължаващ диоден чип) чрез персонализиран мост на веригата и чрез пластмасови рамки, субстрати и субстрати и т.н.

Mситуация на пазара:

Китайските компании се развиват бързо и в момента са зависими от вноса

През 2022 г. индустрията на IGBT в моята страна имаше продукция от 41 милиона, с търсене от около 156 милиона и ниво на самодостатъчност от 26,3%.Понастоящем вътрешният пазар на IGBT е зает главно от задгранични производители като Yingfei Ling, Mitsubishi Motor и Fuji Electric, от които най-висок дял е Yingfei Ling, който е 15,9%.

Пазарът на IGBT модул CR3 достигна 56,91%, а общият дял на местните производители Star Director и ерата на CRRC от 5,01% беше 5,01%.Пазарният дял на трите най-големи производители на глобалното IGBT сплит устройство достигна 53,24%.Местните производители влязоха в първите десет пазарни дяла на глобалното IGBT устройство с пазарен дял от 3,5%.